N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FCP099N65S3

DigiKey-Teilenr.
FCP099N65S3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCP099N65S3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCP099N65S3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 3mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
61 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2480 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
99mOhm bei 15A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 5.10000Fr. 5.10
50Fr. 2.71680Fr. 135.84
100Fr. 2.48670Fr. 248.67
500Fr. 2.08382Fr. 1’041.91
1’000Fr. 2.04673Fr. 2’046.73
Standardverpackung des Herstellers
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