N-Kanal 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCP190N65F

DigiKey-Teilenr.
FCP190N65F-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FCP190N65F
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCP190N65F Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3225 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP190
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 569
Bestand des Herstellers: 33’600
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Menge
Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 4.39000Fr. 4.39
50Fr. 2.30160Fr. 115.08
100Fr. 2.10020Fr. 210.02
500Fr. 1.74740Fr. 873.70
1’000Fr. 1.66780Fr. 1’667.80
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 4.39000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 4.74559