N-Kanal 650 V 6 A (Tc) 54W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
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FCU600N65S3R0

DigiKey-Teilenr.
FCU600N65S3R0OS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCU600N65S3R0
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 6 A (Tc) 54W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 600µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
465 pF @ 400 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
54W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
IPAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 3A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IXTU8N70X2IXYS64IXTU8N70X2-NDFr. 4.68000Ähnlich
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