FDB024N04AL7 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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Renesas Electronics Corporation

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FDB024N04AL7
DigiKey-Teilenr.	FDB024N04AL7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDB024N04AL7
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 214W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,4mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	109 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7300 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)
Basis-Produktnummer	FDB024