Name: FDB28N30TM
Brand: onsemi
SKU: FDB28N30TMTR-ND
Price: 1.49178 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDB28N30TM
DigiKey-Teilenr.	FDB28N30TMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDB28N30TMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDB28N30TMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDB28N30TM
Beschreibung	MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 300 V 28 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	UniFET™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	300 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	129mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2250 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	FDB28N30