FDB8443 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

FDB8443 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 1’143

Stückpreis : Fr. 1.94000

Ähnlich

IXYS

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 1.70763

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 1’417

Stückpreis : Fr. 2.77000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 553

Stückpreis : Fr. 1.81000

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 916

Stückpreis : Fr. 2.28000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDB8443
DigiKey-Teilenr.	FDB8443TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDB8443
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 25 A (Ta), 120 A (Tc) 188W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25 A (Ta), 120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	185 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9310 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	188W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	FDB844