Name: FDC855N
Brand: onsemi
SKU: FDC855NTR-ND
Price: 0.68103 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDC855N
DigiKey-Teilenr.	FDC855NTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDC855NCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDC855NDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDC855N
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 6,1 A (Ta) 1,6W (Ta) Oberflächenmontage SuperSOT™-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDC855N Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,1 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	27mOhm bei 6,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	655 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,6W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SuperSOT™-6
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	FDC855