FDD6670A onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDD6670A
DigiKey-Teilenr.	FDD6670ATR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDD6670ACT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDD6670A
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 15 A (Ta), 66 A (Tc) 3,2W (Ta), 63W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Ta), 66 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1755 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,2W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 155°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	FDD6670