FDI3652 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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onsemi

Vorrätig: 1’345

Stückpreis : Fr. 2.10000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDI3652
DigiKey-Teilenr.	FDI3652-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDI3652
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 9A/61A I2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 9 A (Ta), 61 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Ta), 61 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16mOhm bei 61A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2880 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-262 (I2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer	FDI3652