Name: FDMC6675BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC6675BZTR-ND
Price: 1.4053 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDMC6675BZ
DigiKey-Teilenr.	FDMC6675BZTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDMC6675BZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDMC6675BZDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDMC6675BZ
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 9,5 A (Ta), 20 A (Tc) 2,3W (Ta), 36W (Tc) Oberflächenmontage 8-MLP (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,5 A (Ta), 20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14,4mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2865 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,3W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-MLP (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	FDMC6675