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FDP10N60NZ | |
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DigiKey-Teilenr. | FDP10N60NZ-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDP10N60NZ |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 185W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FDP10N60NZ Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1475 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 185W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 750mOhm bei 5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 488 | 785-1191-5-ND | Fr. 2.08000 | Ähnlich |
| AOT10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOT10N60L-ND | Fr. 0.41466 | Ähnlich |
| IXTP4N65X2 | IXYS | 73 | 238-IXTP4N65X2-ND | Fr. 2.96000 | Ähnlich |
| STP9N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-13843-5-ND | Fr. 1.57000 | Ähnlich |





