FDPF12N50NZ onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDPF12N50NZ
DigiKey-Teilenr.	FDPF12N50NZOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDPF12N50NZ
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 11,5 A (Tc) 42W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDPF12N50NZ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	UniFET-II™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	520mOhm bei 5,75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1235 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	42W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	FDPF12

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50	Fr. 1.04920	Fr. 52.46
100	Fr. 0.94460	Fr. 94.46
500	Fr. 0.76096	Fr. 380.48
1’000	Fr. 0.70194	Fr. 701.94

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