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Rohm Semiconductor
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Datenblatt
TO-220F-3
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FDPF52N20T

DigiKey-Teilenr.
FDPF52N20T-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDPF52N20T
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 52A TO220F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 52 A (Tc) 38,5W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FDPF52N20T Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
49mOhm bei 26A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2900 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
38,5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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