FDPF5N50FT onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

FDPF5N50FT ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Vishay Siliconix

Vorrätig: 93

Stückpreis : Fr. 3.38000

Ähnlich

Toshiba Semiconductor and Storage

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 0.00000

Ähnlich

Toshiba Semiconductor and Storage

Vorrätig: 2

Stückpreis : Fr. 1.50000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDPF5N50FT
DigiKey-Teilenr.	FDPF5N50FT-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDPF5N50FT
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 4,5 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDPF5N50FT Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	UniFET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,55Ohm bei 2,25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	700 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	28W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	FDPF5