Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 1 A 1 W Durchkontaktierung TO-226-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TN6729A

DigiKey-Teilenr.
TN6729A-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
TN6729A
Beschreibung
TRANS PNP 80V 1A TO-226-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 1 A 1 W Durchkontaktierung TO-226-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TN6729A Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 10mA, 250mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 bei 250mA, 1V
Leistung - Max.
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-226-3
Basis-Produktnummer
TN6729
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Obsolet
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