Dioden 1200 V 30A Durchkontaktierung TO-247-2
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Dioden 1200 V 30A Durchkontaktierung TO-247-2
TO-247-2
Utilizing Wide Bandgap (WBG) in Solar & Renewable Energy Applications

FFSH20120A-F085

DigiKey-Teilenr.
5556-FFSH20120A-F085-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FFSH20120A-F085
Beschreibung
DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Standardlieferzeit des Herstellers
13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 1200 V 30A Durchkontaktierung TO-247-2
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FFSH20120A-F085 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
30A
Geschwindigkeit
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
200 µA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F
1220pF bei 1V, 100KHz
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-247-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-2
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer
FFSH20120
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