FFSH20120A-F155 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FFSH20120A-F155
DigiKey-Teilenr.	488-FFSH20120A-F155-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FFSH20120A-F155
Beschreibung	DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 1200 V 30A Durchkontaktierung TO-247-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	30A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.75 V @ 20 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	200 µA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F	1220pF bei 1V, 100kHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-2
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C

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1	Fr. 10.89000	Fr. 10.89
30	Fr. 6.61533	Fr. 198.46
120	Fr. 5.67883	Fr. 681.46
510	Fr. 5.50610	Fr. 2’808.11

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