FGA5065ADF onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FGA5065ADF
DigiKey-Teilenr.	FGA5065ADF-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FGA5065ADF
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-3PN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 100 A 268 W Durchkontaktierung TO-3PN
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	150 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,2V bei 15V, 50A
Leistung - Max.	268 W
Schaltenergie	1,35mJ (Ein), 309µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	72.2 nC
Td (on/off) bei 25°C	20,8ns/62,4ns
Testbedingung	400V, 50A, 6Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	31.8 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3PN
Basis-Produktnummer	FGA5065