FGA50T65SHD onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FGA50T65SHD
DigiKey-Teilenr.	FGA50T65SHD-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FGA50T65SHD
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-3PN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 100 A 319 W Durchkontaktierung TO-3PN
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	150 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 50A
Leistung - Max.	319 W
Schaltenergie	1,28mJ (Ein), 384µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	87 nC
Td (on/off) bei 25°C	22,4ns/73,6ns
Testbedingung	400V, 50A, 6Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	34.6 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3PN
Basis-Produktnummer	FGA50T65

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Auf Lager: 436

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt und ist daher nach Abverkauf der Lagerbestände nicht mehr lieferbar.

Menge

Alle Preise in CHF

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 4.46000	Fr. 4.46
30	Fr. 2.51600	Fr. 75.48
120	Fr. 2.08767	Fr. 250.52

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.