FGAF20N60SMD onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FGAF20N60SMD
DigiKey-Teilenr.	FGAF20N60SMDOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FGAF20N60SMD
Beschreibung	IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-3PF
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Feldblende 600 V 40 A 75 W Durchkontaktierung TO-3PF
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Feldblende
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	40 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	60 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,7V bei 15V, 20A
Leistung - Max.	75 W
Schaltenergie	452µJ (Ein), 141µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	64 nC
Td (on/off) bei 25°C	12ns/91ns
Testbedingung	400V, 20A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	26.7 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3PF
Basis-Produktnummer	FGAF20