Name: FQB19N20LTM
Brand: onsemi
SKU: FQB19N20LTMTR-ND
Price: 1.50259 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQB19N20LTM
DigiKey-Teilenr.	FQB19N20LTMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FQB19N20LTMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FQB19N20LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQB19N20LTM
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	7 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 21 A (Tc) 3,13W (Ta), 140W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	QFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	140mOhm bei 10,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	35 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2200 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,13W (Ta), 140W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	FQB19N20