FQI47P06TU onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQI47P06TU
DigiKey-Teilenr.	FQI47P06TU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQI47P06TU
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 47 A (Tc) 3,75W (Ta), 160W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQI47P06TU Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	QFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	47 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	26mOhm bei 23,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,75W (Ta), 160W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-262 (I2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer	FQI4