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Vishay Siliconix
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Datenblatt
P-Kanal 200 V 11,5 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FQP12P20

DigiKey-Teilenr.
FQP12P20-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQP12P20
Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 200 V 11,5 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FQP12P20 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1200 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
470mOhm bei 5,75A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRF9640PBFVishay Siliconix0IRF9640PBF-NDFr. 2.54000Ähnlich
Obsolet
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