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FQP2N90 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr.   | FQP2N90FS-ND  | 
Hersteller   | |
Hersteller-Teilenummer   | FQP2N90  | 
Beschreibung  | MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3  | 
Kundenreferenz   | |
Detaillierte Beschreibung  | N-Kanal 900 V 2,2 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3  | 
Datenblatt   | Datenblatt | 
EDA/CAD-Modelle  | FQP2N90 Modelle | 
Typ   | Beschreibung  | Alle auswählen  | 
|---|---|---|
Kategorie  | ||
Herst.  | ||
Serie  | ||
Verpackung  | Stange  | |
Status der Komponente  | Obsolet  | |
FET-Typ  | ||
Technologie  | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss)  | 900 V  | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C  | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))  | 10V  | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs  | 7,2Ohm bei 1,1A, 10V  | |
Vgs(th) (max.) bei Id  | 5V bei 250µA  | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs  | 15 nC @ 10 V  | |
Vgs (Max.)  | ±30V  | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds  | 500 pF @ 25 V  | |
FET-Merkmal  | -  | |
Verlustleistung (max.)  | 85W (Tc)  | |
Betriebstemperatur  | -55°C bis 150°C (TJ)  | |
Klasse  | -  | |
Qualifizierung  | -  | |
Montagetyp  | Durchkontaktierung  | |
Gehäusetyp vom Lieferanten  | TO-220-3  | |
Gehäuse / Hülle  | ||
Basis-Produktnummer  | 




