FQP8N90C onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

FQP8N90C ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQP8N90C
DigiKey-Teilenr.	FQP8N90C-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQP8N90C
Beschreibung	MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 900 V 6,3 A (Tc) 171W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQP8N90C Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	QFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9Ohm bei 3,15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2080 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	171W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	FQP8