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FQPF19N20 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Ähnlich
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
FQPF19N20 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FQPF19N20-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FQPF19N20 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 11,8 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FQPF19N20 Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 50W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220F-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 150mOhm bei 5,9A, 10V |
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