FQPF6N80C ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 321
Stückpreis : Fr. 4.30000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 1’874
Stückpreis : Fr. 2.50000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 1’921
Stückpreis : Fr. 1.73000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 763
Stückpreis : Fr. 3.45000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 1’599
Stückpreis : Fr. 3.03000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 792
Stückpreis : Fr. 2.73000
Datenblatt
TO-220F-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQPF6N80C

DigiKey-Teilenr.
FQPF6N80C-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQPF6N80C
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 5,5 A (Tc) 51W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,5Ohm bei 2,75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1310 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
51W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.