FQS4900TF onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQS4900TF
DigiKey-Teilenr.	FQS4900TFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQS4900TF
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V, 300V 1,3A, 300mA 2W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQS4900TF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	QFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V, 300V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,3A, 300mA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	550mOhm bei 650mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,95V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2,1nC bei 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	-
Leistung - Max.	2W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	FQS4900