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I-PAK
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FQU3N50CTU

DigiKey-Teilenr.
FQU3N50CTU-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQU3N50CTU
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 2,5 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,5Ohm bei 1,25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
365 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
IPAK
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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