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FQU3N50CTU | |
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DigiKey-Teilenr. | FQU3N50CTU-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FQU3N50CTU |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 500 V 2,5 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung IPAK |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 365 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 35W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V | Gehäusetyp vom Lieferanten IPAK |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,5Ohm bei 1,25A, 10V |



