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I-PAK
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FQU4N50TU-WS

DigiKey-Teilenr.
FQU4N50TU-WSOS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQU4N50TU-WS
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 2,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,7Ohm bei 1,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
460 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,5W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
IPAK
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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