FQU4N50TU-WS onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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STMicroelectronics

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FQU4N50TU-WS
DigiKey-Teilenr.	FQU4N50TU-WSOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQU4N50TU-WS
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 2,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 460 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 45W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V	Gehäusetyp vom Lieferanten IPAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,6 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQU4N50
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,7Ohm bei 1,3A, 10V

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Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
STD4N52K3	STMicroelectronics	0	497-10647-2-ND	Fr. 0.45731	Ähnlich

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