Name: HGT1S10N120BNST
Brand: onsemi
SKU: HGT1S10N120BNSTTR-ND
Price: 4.50777 CHF
Availability: InStock

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HGT1S10N120BNST
DigiKey-Teilenr.	HGT1S10N120BNSTTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) HGT1S10N120BNSTCT-ND - Gurtabschnitt (CT) HGT1S10N120BNSTDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	HGT1S10N120BNST
Beschreibung	IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	35 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	80 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,7V bei 15V, 10A
Leistung - Max.	298 W
Schaltenergie	320µJ (Ein), 800µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	100 nC
Td (on/off) bei 25°C	23ns/165ns
Testbedingung	960V, 10A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Basis-Produktnummer	HGT1S10