HUF75617D3S onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

HUF75617D3S ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HUF75617D3S
DigiKey-Teilenr.	HUF75617D3S-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	HUF75617D3S
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 16 A (Tc) 64W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	UltraFET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	90mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	570 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	64W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	HUF75