KSD560RTSTU onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

KSD560RTSTU
DigiKey-Teilenr.	KSD560RTSTU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	KSD560RTSTU
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 5 A 1.5 W Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	KSD560RTSTU Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	1,5V bei 3mA, 3A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	2000 bei 3A, 2V
Leistung - Max.	1.5 W
Frequenz - Übergang	-
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Basis-Produktnummer	KSD560

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