KSD880YTU onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

KSD880YTU
DigiKey-Teilenr.	KSD880YTU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	KSD880YTU
Beschreibung	TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 60 V 3 A 3MHz 30 W Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	KSD880YTU Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	1V bei 300mA, 3A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	100 bei 500mA, 5V
Leistung - Max.	30 W
Frequenz - Übergang	3MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Basis-Produktnummer	KSD880

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