Name: MJD112T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD112T4GOSTR-ND
Price: 0.89723 CHF
Availability: InStock

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MJD112T4G
DigiKey-Teilenr.	MJD112T4GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) MJD112T4GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) MJD112T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	MJD112T4G
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MJD112T4G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	3V bei 40mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	1000 bei 2A, 3V
Leistung - Max.	20 W
Frequenz - Übergang	25MHz
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Basis-Produktnummer	MJD112

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)