MJD31C1 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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MJD31C1
DigiKey-Teilenr.	MJD31C1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	MJD31C1
Beschreibung	TRANS NPN 100V 3A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	1,2V bei 375mA, 3A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	10 bei 3A, 4V
Leistung - Max.	1.56 W
Frequenz - Übergang	3MHz
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Gehäusetyp vom Lieferanten	IPAK
Basis-Produktnummer	MJD31