Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Oberflächenmontage DPAK
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MJD32CG

DigiKey-Teilenr.
MJD32CGOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
MJD32CG
Beschreibung
TRANS PNP 100V 3A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,2V bei 375mA, 3A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
10 bei 3A, 4V
Leistung - Max.
1.56 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
MJD32
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