MJE18002G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

MJE18002G ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

onsemi

Vorrätig: 17

Stückpreis : Fr. 43.23000

Ähnlich

Taiwan Semiconductor Corporation

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 0.00000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MJE18002G
DigiKey-Teilenr.	MJE18002GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	MJE18002G
Beschreibung	TRANS NPN 450V 2A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 450 V 2 A 13MHz 50 W Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MJE18002G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	SWITCHMODE™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	450 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	500mV bei 200mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	14 bei 200mA, 5V
Leistung - Max.	50 W
Frequenz - Übergang	13MHz
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Basis-Produktnummer	MJE18