NDFPD1N150CG onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NDFPD1N150CG
DigiKey-Teilenr.	NDFPD1N150CGOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NDFPD1N150CG
Beschreibung	MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1500 V 100mA (Ta) 2W (Ta), 20W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NDFPD1N150CG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	150Ohm bei 50mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	80 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	NDFPD1