NGTB20N120IHSWG onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

NGTB20N120IHSWG ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NGTB20N120IHSWG
DigiKey-Teilenr.	NGTB20N120IHSWGOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NGTB20N120IHSWG
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 1200 V 40 A 156 W Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NGTB20N120IHSWG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	40 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	120 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,4V bei 15V, 20A
Leistung - Max.	156 W
Schaltenergie	650µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	155 nC
Td (on/off) bei 25°C	-/160ns
Testbedingung	600V, 20A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Basis-Produktnummer	NGTB20