NGTB40N120IHRWG onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NGTB40N120IHRWG
DigiKey-Teilenr.	NGTB40N120IHRWGOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NGTB40N120IHRWG
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 1200 V 80 A 384 W Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NGTB40N120IHRWG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	80 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	120 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,55V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	384 W
Schaltenergie	950µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	225 nC
Td (on/off) bei 25°C	-/230ns
Testbedingung	600V, 40A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Basis-Produktnummer	NGTB40

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