Name: NSS1C200MZ4T1G
Brand: onsemi
SKU: NSS1C200MZ4T1GOSTR-ND
Price: 0.72427 CHF
Availability: InStock

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NSS1C200MZ4T1G
DigiKey-Teilenr.	NSS1C200MZ4T1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NSS1C200MZ4T1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NSS1C200MZ4T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NSS1C200MZ4T1G
Beschreibung	TRANS PNP 100V 2A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 2 A 120MHz 800 mW Oberflächenmontage SOT-223 (TO-261)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NSS1C200MZ4T1G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 120 bei 500mA, 2V
Herst. onsemi	Leistung - Max. 800 mW
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Frequenz - Übergang 120MHz
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Transistor-Typ PNP	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2 A	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-223 (TO-261)
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 220mV bei 200mA, 2A	Basis-Produktnummer NSS1C200
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)