Name: NTF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NTF6P02T3GOSTR-ND
Price: 1.081 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTF6P02T3G
DigiKey-Teilenr.	NTF6P02T3GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTF6P02T3GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTF6P02T3G
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 10 A (Ta) 8,3W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223 (TO-261)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTF6P02T3G Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±8V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1200 pF @ 16 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 8,3W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-223 (TO-261)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 6A, 4,5V	Basis-Produktnummer NTF6P02