NTGS1135PT1G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTGS1135PT1G
DigiKey-Teilenr.	NTGS1135PT1G-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTGS1135PT1G
Beschreibung	MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 8 V 4,6 A (Ta) 970mW (Ta) Oberflächenmontage 6-TSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTGS1135PT1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,2V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	31mOhm bei 4,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	850mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2200 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	970mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-TSOP
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	NTGS11