Name: NTH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L020N090SC1-ND
Price: 24.40898 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTH4L020N090SC1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L020N090SC1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L020N090SC1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 900 V 116 A (Tc) 484W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	116 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	28mOhm bei 60A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	196 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4415 pF @ 450 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	484W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4L
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	NTH4L02

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Auf Lager: 603

Bestand des Herstellers: 6’750

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 22.58000	Fr. 22.58
30	Fr. 15.25933	Fr. 457.78

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.