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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NTH4L025N065SC1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 5556-NTH4L025N065SC1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NTH4L025N065SC1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 99 A (Tc) 348W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | NTH4L025N065SC1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,3V bei 15,5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 164 nC @ 18 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +22V, -8V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3480 pF @ 15 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 348W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 28,5mOhm bei 45A, 18V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 17.29000 | Fr. 17.29 |
| 10 | Fr. 12.40300 | Fr. 124.03 |
| 450 | Fr. 9.21684 | Fr. 4’147.58 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 17.29000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 18.69049 |
