Name: NTH4L040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L040N120M3S-ND
Price: 13.8368 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 54 A (Tc) 231W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L

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NTH4L040N120M3S
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L040N120M3S-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L040N120M3S
Beschreibung	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 54 A (Tc) 231W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 10mA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 75 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1700 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 231W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 54 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 54mOhm bei 20A, 18V

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