Name: NTH4L045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L045N065SC1-ND
Price: 12.5396 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 55 A (Tc) 187W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L

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NTH4L045N065SC1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L045N065SC1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L045N065SC1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 55 A (Tc) 187W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,3V bei 8mA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 105 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -8V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1870 pF @ 325 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 187W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 55 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 25A, 18V

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