NTHL1000N170M1 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTHL1000N170M1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTHL1000N170M1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTHL1000N170M1
Beschreibung	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 4,2 A (Tc) 48W Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,43Ohm bei 2A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 640µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	150 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	48W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3