Name: NTMD6N02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD6N02R2GOSTR-ND
Price: 1.10262 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMD6N02R2G
DigiKey-Teilenr.	NTMD6N02R2GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTMD6N02R2GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTMD6N02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMD6N02R2G
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 3,92 A 730mW Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTMD6N02R2G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,92 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35mOhm bei 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1100pF bei 16V
Leistung - Max.	730mW
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	NTMD6